日前，韩国半导体工业协会成立30年纪念活动在首尔举办。

与会期间，SK海力士CEO Seok—hee Lee和媒体交流时谈到了无锡海力士半导体工厂相关情况。。

关于EUV光刻机进厂可能延期的问题，李锡熙表示，正与美方合作，进展良好EUV光刻技术已经在韩国本土的DRAM产线上应用，中国工厂还有充足的时间供斡旋沟通

根据消息显示，SK海力士将基于EUV光刻机制造10nm DRAM芯片，也就是第四代内存无锡工厂同样计划应用相关技术，目前正寻求多种途径克服困难，毕竟它是一家韩国企业

资料显示，无锡海力士工厂的DRAM产能大约占SK海力士全球产能的15%。由于目前在SK海力士旗下从事芯片代工的SK海力士系统集成电路与KeyFoundry的芯片代工能力相当，收购完成后SK海力士的芯片代工能力将翻倍。

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