昨天，中微公司宣布，电容耦合高能等离子体刻蚀设备第1500台反应器成功交付国内某半导体厂商此次交付的Primo D—RIE刻蚀设备的反应表来自该客户的多次订单

中维公司图源:

本站了解到，中伟公司表示，Primo D—RIE刻蚀设备被芯片制造商用于制造存储器和逻辑器件Primo D—RIE旨在优化输出，最多可配备三个双反应室，每个反应室可以独立运行，同时处理两个晶片

自2007年Primo D—RIE发布以来，中伟公司逐步拓展了CCP蚀刻设备产品线CCP蚀刻设备系列还包括双反应平台蚀刻设备Primo AD—RIE，单反应平台蚀刻设备Primo SSC AD—RIE，Primo HD—RIE和集蚀刻除胶于一体的Primo iDEA

据介绍，这些产品用于5纳米及以下工艺的各种应用中伟公司的蚀刻设备生产线还包括另外两个电感耦合低能等离子蚀刻设备和硅通孔蚀刻设备

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