12 月 15 日，吴越半导体 GaN 晶体出片仪式在无锡高新区举行。

据无锡高新区消息，仪式上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破 1 厘米的氮化镓晶体，并与君联资本，新投集团签署 A 轮融资战略框架协议。。

无锡吴越半导体有限公司成立于 2019 年，是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目，公司专注于氮化镓自支撑衬底的开发，生产和销售。11月2日晚，近日，纳米半导体在美国纳斯达克成功上市。到2023年，GaN的每瓦成本将低于硅，GaN将成为手机充电的未来。

2020 年 2 月，吴越半导体，先导集团与高新区管委会签订合作协议，在无锡高新区实施 2—6 英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目，项目建成投产后，可填补无锡市在第三代化合物半导体氮化镓原材料领域的空白。在近日的媒体沟通会上，纳米半导体副总裁，中国区总经理查英杰指出，目前，纳米半导体已与全球90%以上的一线适配器OEM/ODM厂商达成合作。

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