在DDR5 DRAM成为英特尔Alder Lake第12代处理器的标准配置后，AMD最近几天宣布其7000系列处理器将支持DDR5内存，并于9月27日正式上市AMD表示，该平台将不再支持DDR4而仅支持DDR5产品，这无疑将进一步扩大对DDR5内存的需求DDR5似乎只是DRAM激烈市场竞争的一个导火索围绕EUV光刻等DRAM领域的先进技术，三星，SK海力士，美光一直紧跟其后，不断推动DRAM领域迎来新的发展趋势毫无疑问，三大DRAM厂商围绕DDR5的竞争正在进行

三星抢占DDR5内存芯片新阵地

三星，SK海力士和美光是内存芯片重要细分领域DRAM当之无愧的领导者根据研究机构IC Insights的数据，2021年，三大厂商占据了DRAM市场94%的份额具体来看，三星作为DRAM市场第一大企业，市场份额为43%，三星的韩国同胞SK海力士市场份额为28%，美国的强劲发展趋势也令人瞩目，目前占据DRAM市场份额的23%

作为一种发展中的高带宽计算机内存规格，DDR5在DRAM市场上越来越受到关注，它可能成为三家厂商提高市场竞争力的重点之一根据消息显示，与DDR4相比，DDR5将提供两倍以上的有效带宽，有助于缓解各核心的带宽紧张，进一步促进CPU核心数量的增加，逐年提升运算能力

事实上，三大厂商宣布2021年下半年量产DDR5产品作为DRAM市场排名第一的厂商，三星自然不会错过这个发展机遇

2021年，针对DDR5模块，三星选择帮助数据中心，企业服务器和PC应用充分利用DDR5的性能，完成高要求和内存密集型任务日前，三星宣布推出集成能源管理电路——S2FPD01，S2FPD02和S2FPC01，用于DDR5双列直插式内存模块

目前，三星正在与AMD合作开发单个DDR5内存产品，容量为512GB甚至1TB记者了解到，三星在与AMD的讨论中找到了DDR5 DRAM新的研发方向，可将内存核心容量提升至32Gb，堆栈层数提升至8H在各种技术下，可以实现32Gb，3DS，8H堆栈，使系统内存容量提升到32TB

三星TSP副总裁Younggwan Ko此前表示，伴随着存储半导体变得更加强大，封装技术必须与存储半导体共同发展三星的竞争对手已经将MSAP封装技术用于DDR5内存，三星正试图将这种封装技术用于DDR6三星DDR6设计预计2024年完成

在抢占DDR5存储芯片新阵地的过程中，三星也没有忽视极紫外光刻技术这一当前DRAM市场兵家必争之地的应用。

公开资料显示，EUV工艺采用波长10~14nm的极紫外光作为光源，刻蚀各向异性明显改善，可以大幅提高集成电路的分辨率和良率，大幅提高DRAM产能和良率，降低DRAM生产成本。

2020年3月，三星率先使用EUV光刻技术，同年10月开始量产基于EUV的14nm DRAM在这一过程中，三星将其最先进的14纳米DDR5上的EUV层数量从两个增加到五个DRAM工艺

三星对EUV光刻技术的追求仍在继续2021年11月，三星称已由EUV科技研发出14nm 16Gb低功耗双倍数据速率5X DRAM，专门用于5G，人工智能，机器学习等大数据终端的高速率应用今年2月，三星正式表示，其基于1z纳米工艺的EUV光刻技术的DRAM已经完成量产

目前三星还在规划建设长期产能，希望通过扩大产能来等待新一轮的市场周期，为其后续发展储备能量。

最近，三星计划在韩国京畿道平泽市再建三条生产线考虑到每个半导体工厂需要超过30万亿韩元的投资，三星电子将在这个项目上投资100万亿韩元

EUV光刻或SK海力士竞争芯片

三星的韩国同胞也是其最大的竞争对手——SK海力士，在DRAM市场占有28%的市场份额，对于DDR5也是必然单个时间节点来看，SK海力士在DDR5市场领先，2021年10月推出全球首款DDR5产品产品发布的时间节点略早于其他两家厂商

最近几天，SK海力士宣布研发出首款基于DDR5 DRAM的CXL内存样片SK海力士表示，基于PCIe的CXL是为高效利用CPU，GPU，加速器，内存等而开发的新的标准化接口SK海力士研发的第一款CXL内存是96GB产品，采用最新技术node 1nm DDR 524GBSK海力士有望在近期的全球半导体活动中推出实体产品，明年开始量产

SK海力士将与JSR共同开发DRAM EUV光刻胶，以此推动金属氧化物PR在EUV的应用，确保自己领先的存储技术。

内存产品的制造工艺在不断进化，已经进入10nm阶段伴随着产品对性能和功耗要求的提高，技术演进将需要EUV光刻机来探索迪顾问的资深IC分析师告诉记者

在产能扩张方面，SK海力士基本按计划推进今年将花费约21万亿韩元来建设DRAM和NAND产能日前，记者从SK海力士获悉，SK海力士将在韩国忠北清州新建半导体制造工厂M15X根据消息显示，M15X将于今年10月开工，预计2025年初完工决定今后5年投资约15万亿韩元对此，SK海力士副总裁朴郑好表示，M15X的开放将是公司为未来增长奠定基础的第一步

美光在先进工艺的研发方面实力雄厚。

除了韩流二人组，美光的强劲发展态势同样引人注目目前，美光占据了23%的DRAM市场份额

伴随着DRAM相关技术的成熟，美光在先进DRAM技术研发方面的市场表现同样可圈可点记者从美光获悉，美光宣布基于1α节点的DRAM产品于2021年批量出货，这一工艺在密度，功耗，性能等方面均有较大突破美光科技与产品执行副总裁斯科特·德博尔表示，与上一代1z DRAM工艺相比，1α技术将内存密度提高了40%

最近美光在DDR5产品的研发上也表现出了可喜的进展记者了解到，美光科技CEO桑杰·梅罗特拉于8月29日宣布向企业出售服务器用DDR5 DRAM

据美光介绍，其DDR5产品的传输速率可达4800 mt/s，比现有DDR4快1.87倍左右，系统性能最高可提升85%相比DDR4，CPU性能有所提升，人工智能和高性能计算的性能也能发挥到极致

与三星和SK海力士相比，美光在EUV的光刻技术起步稍晚或许三星和SK海力士对EUV光刻技术的追求给美光带来了一些压力，美光现在使用EUV光刻技术进行DRAM开发根据消息显示，美光计划从2024年开始将EUV纳入DRAM发展路线图日前，美光表示，将在中国台湾省新工厂开业后，引进最先进的EUV设备生产1αnm DRAM工艺

美光也采取了相应的措施来提高产能日前，美光科技宣布，计划在2030年前投资150亿美元，在美国爱达荷州博伊西新建一座尖端内存制造工厂

存储器产品是大规模集成电路的通用产品，标准化程度高，重复生产比例高TrendForce集邦咨询分析师吴雅婷表示，三家原厂可以提前做好新厂建设的准备，因为工艺改进带来的供给侧bit增长空间有限

作为新一代DRAM产品，DDR5在速度和效率上相比DDR4有明显提升不过，智谋研究高级分析师张认为，虽然三星，海力士，美光都推出了DDR5产品抢占市场，但仍无法影响目前的DRAM市场格局目前服务器和电脑内存市场的产品多为DDR4，2013年上市2021年，DDR4的市场份额达到90%

吴雅婷对DDR5的发展非常乐观在她看来，伴随着时间的推移，预计从2023年开始，DDR5将逐渐引入服务器，DDR5有望取代DDR4DDR5 DRAM将迎来快速普及期，成为市场供应/采用的主流产品

杨君刚还认为，DDR5将取代DDR4成为DRAM的主流产品，伴随着产品单价和产能满足需求，以及Intel，AMD等厂商积极应用，三家公司在DDR5 DRAM领域的竞争将更加激烈。

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